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          PECVD 臥式


          所屬分類:

          第一代半導體工藝設備


          概要:

          ? PECVD主要應用于氧化硅(SiO?) 和氮化硅(SiN4) 材料的薄膜生長,工作原理是在低壓引入高頻射頻電源,采取電容耦合方式使工藝氣體電離放電,形成等離子體狀態,產生大量的活性基團,這些活性基團在襯底材料表面發生化學反應并沉積到襯底表面,生長出氧化硅(SiO?) 或氮化硅(SiN4) 薄膜


          關鍵詞:

          PECVD (立式/臥式)



          PECVD 臥式


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