• <menuitem id="r1da2"></menuitem>

          <tr id="r1da2"></tr>

          <ins id="r1da2"></ins>
          <ins id="r1da2"></ins>
        1. 山東力冠微電子裝備

          產品展示


          %{tishi_zhanwei}%

          氮化鎵(GaN)HVPE單晶生長設備 臥式

          ? 用于氮化鎵(GaN)單晶生長 ? 用于氧化鎵(Ga?O?)、氮化鋁(AIN)、磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)外延生長

          氮化鎵(GaN)HVPE單晶生長設備 立式

          ? 用于氮化鎵(GaN)單晶生長 ? 用于氧化鎵(Ga?O?)、氮化鋁(AIN)、磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)外延生長

          PVT單晶生長設備

          ? 本設備主要用于碳化硅(SiC) 、氮化鋁(AIN) 單晶生長

          SiC籽晶粘接設備

          ? 籽晶的粘接工藝技術是將SiC籽晶通過有機膠粘接在石墨紙上,提高籽晶粘接質量是保證高品質SiC晶體生長的首要前提。

          MPCVD設備

          ? 微波等離子化學氣相沉積技術(MPCVD) , 通過等離子增加前驅體的反應速率,降低反應溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結晶形態好的高質量的金剛石單晶和多晶薄膜

          SiC高溫氧化設備

          ? 專門用于硅碳化合物(SiC) 的氧化處理,可實現SiC片在高溫真空環境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用濕法氧化氣體或N2O、NO、NO2,是最安全的毒性氣體氧化爐 ? 設備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環節 ? 加熱腔與工藝腔獨立密閉設計,提供工藝腔的潔凈度

          SiC高溫退火設備

          ? 專門用于硅碳化合物(SiC) 的離子激活和退火處理,可實現SiC片在高溫真空環境下完成活性工藝 ? 設備適用于SiC基功率器件制造中的離子激活和退火工藝環節 ? 加熱腔與工藝腔獨立密閉設計,提供工藝腔的潔凈度

          坩堝下降設備

          ◆ 主要用于4-8英寸砷化鎵、磷化銦等化合物單晶生長 ◆ 設備由機架、安部支撐機構、加熱器和控制系統組成 ◆ 能夠實現安移動和轉動的精確控制

          LPCVD 臥式

          ? LPCVD設備是半導體集成電路制造的重要設備之一, 主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生長,它是將原材料氣體(或者液態源氣化)用熱能激活發生化學反應而在基片表面生成固體薄膜,LPCVD過程是在低壓下進行的,由于氣壓低,氣體分子平均自由程大,使生長的薄膜均勻性好,此外基片可以豎放使得設備裝片量大,特別適用于工業化生產

          LPCVD 立式

          ? LPCVD設備是半導體集成電路制造的重要設備之一, 主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生長,它是將原材料氣體(或者液態源氣化)用熱能激活發生化學反應而在基片表面生成固體薄膜,LPCVD過程是在低壓下進行的,由于氣壓低,氣體分子平均自由程大,使生長的薄膜均勻性好,此外基片可以豎放使得設備裝片量大,特別適用于工業化生產

          PECVD 臥式

          ? PECVD主要應用于氧化硅(SiO?) 和氮化硅(SiN4) 材料的薄膜生長,工作原理是在低壓引入高頻射頻電源,采取電容耦合方式使工藝氣體電離放電,形成等離子體狀態,產生大量的活性基團,這些活性基團在襯底材料表面發生化學反應并沉積到襯底表面,生長出氧化硅(SiO?) 或氮化硅(SiN4) 薄膜

          氧化/擴散設備

          ? 該設備是半導體生產線前工序的重要工藝設備之一,用于大規模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件等行業的擴散、氧化、退火、合金和燒結等工藝 ? 設計了硅片生產的多種工藝性能需要,具有生長效率高、產品性能優越的特點 ? 具有污染低、占地面積小、溫度均勻、可裝載晶圓尺寸大、工藝穩定性高等優點 ? 主要用于初始氧化層、屏蔽氧化層、襯墊氧化層、犧牲氧化層、場氧化層等多種氧化介質層的制備工藝

          < 12 > 前往
          眼镜妹子国产福利1024手机看片旧版国产99久久精品免费看国产麻豆A级毛片视频无码不卡