山東力冠微電子裝備

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SiC高溫氧化爐

專用于SiC晶圓的高溫氧化工藝，可實現晶圓片高溫真空環(huán)境下完成氧化工藝?？墒褂肙2,N2O，NO，NO2或濕法氧化，采用無金屬加熱和真空裝備。 適用工藝：氧化

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